Mott 相变附近费米面拓扑的强重整化
强关联电子
2013-05-30 v2
摘要
底层费米面是强相互作用电子模型的关键概念，已被引入以将通常的费米面概念推广到一般（超导或绝缘）系统。通过使用包含回流项和 Jastrow 项的改进关联波函数，我们研究了二维 Hubbard 模型，并发现在 Mott 绝缘体附近底层费米面的拓扑存在非平凡的重整化。此外，我们观察到一个由金属-绝缘体相变引起的尖锐交叉区，从弱耦合下的弱相互作用金属过渡到中等耦合下的共振价键超导体。在低空穴掺杂下检测到了对 Luttinger 定理的违背。
引用
@article{arxiv.1201.2298,
title = {Strong renormalization of the Fermi-surface topology close to the Mott transition},
author = {Luca F. Tocchio and Federico Becca and Claudius Gros},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2298},
year = {2013}
}
备注
7 pages and 9 figures, more results on the Fermi surface