基于CNTFET的单字线新型3T三元DRAM设计
新兴技术
2021-08-24 v1 系统与控制
系统与控制
摘要
三元逻辑系统因电路复杂度与芯片面积降低带来的能效优势，成为当前二进制逻辑系统最有前景且受追捧的替代方案。本文提出了一种采用单字线进行读写操作的二元三晶体管动态随机存取存储器（3T-DRAM）单元。电路仿真中使用了碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）。我们考虑不同的工艺偏差分析了电路工作，并给出了写延迟、读感应时间与消耗电流的結果。除基础DRAM设计外，我们提出了一种三元感测电路以正确读取所提DRAM。仿真与分析使用H-SPICE工具及斯坦福大学CNTFET模型完成。
引用
@article{arxiv.2108.09342,
title = {Design of Novel 3T Ternary DRAM with Single Word-Line using CNTFET},
author = {Zarin Tasnim Sandhie and Farid Uddin Ahmed and Masud H. Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.09342},
year = {2021}
}