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基于硅光子 CMOS 平台的高性能三端 thyroid RAM（P+/P/N/P/N/N+ 掺杂轮廓）

系统与控制 2024-09-13 v1 系统与控制

作者: Changseob Lee , Ikhyeon Kwon , Anirban Samanta , Siwei Li , S. J. Ben Yoo

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摘要

在硅光子平台上成功实验示范了 3T TRAM，采用 P+PNPNN+ 掺杂轮廓。通过使用额外的掺杂层，该器件在性能上优于传统 PNPN 结构。TCAD 用于反映器件的物理行为，高速存储操作通过模型描述。

关键词

thyroid RAM 硅光子 CMOS 存储性能掺杂轮廓

引用

@article{arxiv.2409.07598,
  title  = {High Performance Three-Terminal Thyristor RAM with a P+/P/N/P/N/N+ Doping Profile on a Silicon-Photonic CMOS Platform},
  author = {Changseob Lee and Ikhyeon Kwon and Anirban Samanta and Siwei Li and S. J. Ben Yoo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2409.07598},
  year   = {2024}
}

备注

4 pages, 15 figures