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基于非易失性互补阻性开关的内容可寻址存储器

材料科学 2011-10-18 v2 新兴技术

作者: Omid Kavehei , Said Al-Sarawi , Sharath Sriram , Madhu Bhaskaran , Kyoung-Rok Cho , Kamran Eshraghian , Derek Abbott

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摘要

本文提出了一种仅含阻性元件的新型二进制和三进制内容可寻址存储器 (B/TCAM) 单元，它由两个互补阻性开关 (CRS) 组成。这种单元的运行依赖于逻辑 $\rightarrow$ ON 状态转换，这使得这种新型的 CRS 应用成为可能。

关键词

内容可寻址存储器互补阻性开关非易失性存储器阻性转换

引用

@article{arxiv.1108.3716,
  title  = {Non-volatile Complementary Resistive Switch-based Content Addressable Memory},
  author = {Omid Kavehei and Said Al-Sarawi and Sharath Sriram and Madhu Bhaskaran and Kyoung-Rok Cho and Kamran Eshraghian and Derek Abbott},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3716},
  year   = {2011}
}

备注

4 pages, 4 figures