密度矩阵拓扑绝缘体

热噪声可以破坏拓扑绝缘体 (TI)。然而，我们展示了如何在耗散系统中使 TI 保持稳定。为此，我们引入带 Liouvillian 的概念作为带 Hamiltonian 的耗散对应物，并提出一种评估其稳态拓扑序的方法。该方法基于对一般混合态有效的 Chern 数的推广（称为密度矩阵 Chern 值），它可以在与外部噪声耦合的系统中见证拓扑序。此外，我们研究了它与有限温度下电导率的关系，电导率不是拓扑性质。尽管如此，由于有限温度下量子混合边缘态的存在，密度矩阵 Chern 值代表了电导率中具有拓扑性质的部分。为了使我们的形式化具体化，我们将这些概念应用于存在热耗散的二维 Haldane 模型，但我们的结果适用于任意维度和密度矩阵。