拓扑绝缘体中的扭转响应与无耗散黏度
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v1 高能物理 - 理论
摘要
我们考虑了二维和三维拓扑绝缘体(TI)中电子自由度的黏弹性响应。主要关注二维陈绝缘体，它表现出体态无耗散黏度，类似于在整数量子霍尔态和分数量子霍尔态中预言的量子霍尔黏度。我们证明，无耗散黏度是TI对底层晶格几何扭转形变的响应。黏弹性响应还表明，陈绝缘体中的晶体位错将携带动量密度。我们简要讨论了向三维的推广，这意味着时间反演不变的TI将在其表面表现出量子霍尔黏度。
引用
@article{arxiv.1101.3541,
title = {Torsional Response and Dissipationless Viscosity in Topological Insulators},
author = {Taylor L. Hughes and Robert G. Leigh and Eduardo Fradkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3541},
year = {2013}
}
备注
4+epsilon pages, 1 figure