二维拓扑绝缘体中的霍尔与自旋霍尔粘滞比
介观与纳米尺度物理
2021-05-18 v3
摘要
我们研究拓扑绝缘体模型中对度规扰动的响应。本文我们引入一个新的物理量——霍尔粘滞与粒子数密度之比，它类似于由 AdS/CFT 对应所建议的粘滞与熵之比。该量对应于表征量子霍尔态的填充因子，因此可以在 Haldane 的零场量子霍尔系统中进行讨论。我们还考虑了时间反演不变的量子自旋霍尔系统中的无耗散粘滞，它与自旋流相关。
引用
@article{arxiv.1004.2688,
title = {Hall and spin Hall viscosity ratio in 2d topological insulators},
author = {Taro Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.2688},
year = {2021}
}
备注
1+15 pages, 1 figure; references added, typos corrected; published version