缺陷电荷、规缝边界条件与对称性 TFT

我们提供了一种简洁且计算高效的方法，用于 characterize 高阶表示（高阶电荷）对于缺陷算子在广义对称性下的表征，借助对称性 TFT $\mathcal{Z}(\mathcal{C})$ 的强大框架。对于棱长为 $p$ 的缺陷 $\mathscr{D}$，这些表示（电荷）与 $\mathcal{Z}(\mathcal{C})$ 在由 $Y = \Sigma_{d-p+1} \times S^{p-1}$ 构成的流形上的规缝边界条件一一对应，可通过维数约化高效描述。我们探索了本构构的诸多应用，包括异常bulk 理论可容纳对称缺陷的情形。这将 't Hooft 异常与无对称边界条件的联系推广到任意棱长的缺陷。最后我们描述了 (3+1)d 二门性对称性的表面电荷的某些性质，这些性质应与研究 Gukov-Witten 算子在规范理论中的作用相关。