中文

块体拓扑绝缘体中通过亚表面裂纹的导电

强关联电子 2015-06-30 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

拓扑绝缘体(TIs)具有独特的特征:它们是电子绝缘体,却拥有金属性的导电表面。在普通材料中,裂纹和变形等缺陷是电导的障碍,直观上使材料电阻更大。奇怪的是,三维拓扑绝缘体在开裂时应成为更好的导体,因为裂纹本身充当导电拓扑表面,为电流提供额外路径。重要的是,对于拓扑绝缘体材料,任何表面或扩展缺陷都蕴含此种导电性。在本快报中,我们证明通过系统性刮擦或打磨在预测的三维拓扑绝缘体六硼化钐(SmB6_{6})内部形成的小亚表面裂纹导致了电导的这种增加。SmB6_{6} 在拓扑绝缘体中处于独特地位以展现此效应,因为其单晶足够厚以容纳裂纹,并且它显著地似乎不受体杂质导电的影响。我们的结果不仅加强了正在形成的关于 SmB6_{6} 拓扑性质的证据,而且与所有带裂纹的拓扑绝缘体相关,包括具有晶界的拓扑绝缘体薄膜。

关键词

引用

@article{arxiv.1506.08233,
  title  = {Conduction through subsurface cracks in bulk topological insulators},
  author = {S. Wolgast and Y. S. Eo and Ç. Kurdak and D. -J. Kim and Z. Fisk},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.08233},
  year   = {2015}
}

备注

10 pages, 2 figures