六硼化钐：一种平庸的表面导体

近期的理论与实验研究指出，SmB$_6$ 是首个拓扑近藤绝缘体（topological Kondo insulator）：一种局域电子与巡游电子之间的相互作用使得体材料在低温下绝缘，而拓扑表面态使表面保持金属性的材料。尽管这能优雅地解释该材料令人困惑的电导性，但我们发现实验观察到的两个被预测为拓扑表面态的候选态实际上却是平庸的：位于 $\bar{\Gamma}$ 的表面态非常重且浅，其结合能仅为约 $2$ meV。它表现出较大的 Rashba 分裂，从而排除了拓扑性质。我们进一步证明，另一个位于 $\bar{X}$ 的金属表面态并非如先前所设想的那样是一个独立的带隙内态，而是一个具有更高结合能（1.7 eV）的重能带的一部分。我们表明，由于与能量偏移的表面 $4f$ 能级杂化减弱，该态在降至 1 K 时仍保持金属性。