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拓扑近藤绝缘体 SmB$_6$ 中的抗磁性 Sm$^{3+}$

强关联电子 2019-01-16 v1

摘要

六硼化钐是一种拓扑近藤绝缘体,其金属表面态由其绝缘能带结构显现出来。由于绝缘体块体本身由强关联驱动,块体与表面都呈现出引人注目的磁性和电子现象。我们采用 Sm M4,5_{4,5} 边的 X 射线吸收谱(XAS)和 X 射线磁圆二色性(XMCD)来测量 SmB6_6 中 Sm2+^{2+} 和 Sm3+^{3+} 的表面与块体磁性质。我们观测到在 T=75T = 75 K 以下 Sm3+^{3+} 磁偶极矩以及 30 K 以下钐的总轨道矩相对于外加磁场的反向排列。在 8 K 和 6 T 下解理表面的诱导 Sm3+^{3+} 矩意味着总 Sm 的 1.5% 为磁化的 Sm3+^{3+}。8 K 下 Sm3+^{3+} XMCD 二色性的场依赖关系是抗磁的且近似线性。然而,2 K 下的块体磁化由 Sm2+^{2+} 范弗莱克磁化率以及 1% 具有 μEff=5.2(1) μB\mu_{\rm Eff} = 5.2(1)~\mu_{\rm B} 的有效磁矩的顺磁杂质驱动。这表明抗磁性 Sm3+^{3+} 在块体内被补偿。XAS 和 XMCD 谱受 Sm 空位和碳掺杂的弱影响,而 XAS 受抛光强烈影响。

关键词

引用

@article{arxiv.1804.06853,
  title  = {Diamagnetic Sm$^{3+}$ in the topological Kondo insulator SmB$_6$},
  author = {W. T. Fuhrman and J. C. Leiner and J. W. Freeland and M. van Veenendaal and S. M. Koohpayeh and W. Adam Phelan and T. M. McQueen and C. Broholm},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1804.06853},
  year   = {2019}
}