InGaN基蓝色与AlGaInP基红色发光二极管电流分量的比较分析
应用物理
2017-05-29 v1 材料科学
摘要
在本文中，我们旨在理解 AlGaInP 和 InGaN LED 器件中 IQE 和 I-V 曲线的表观特征。为了分析，我们利用 IQE 的信息将电流分离为辐射电流和非辐射电流分量。我们通过理想因子、S 参数以及适用于 LED 器件的修正肖克利二极管方程仔细分析每个电流分量。通过这些分析，发现两种样品各自的电流分量特征基本相似，而由辐射电流引起的势降的物理起源以及由非辐射电流引起的双注入电流的量则不同。与 AlGaInP LED 相比，InGaN LED 具有更高程度的电子溢出，这是由有源区低复合率引发的，导致效率下降和更高的工作电压。为此，应进一步提高辐射复合率和/或有源区体积。
引用
@article{arxiv.1705.09557,
title = {Comparative Analysis of Current Component in InGaN-based Blue and AlGaInP-based Red Light-emitting Diode},
author = {Dong-Pyo Han and Jong-In Shim and Dong-Soo Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.09557},
year = {2017}
}
备注
16 pages