高注入下 InGaN 基发光二极管工作电压增加的起源：相空间填充效应对正向电压特性的影响
应用物理
2017-05-24 v1 材料科学
摘要
为了进一步阐明 InGaN 基发光二极管 (LED) 工作电压增加的原因，结合 Shockley 二极管方程分别分析了辐射和非辐射电流分量。通过分析，我们表明工作电压的增加是由高注入下的相空间填充效应引起的。我们还表明，由于各电流分量的输运和复合特性基本不同，经典的 Shockley 二极管方程不足以全面解释 LED 器件的 I-V 曲线。因此，我们提出了一种适用于现代 LED 器件的修正 Shockley 方程。我们的分析为 InGaN LED 中受效率下降和高工作电压等因素影响的插头效率下降的原因提供了新见解。
引用
@article{arxiv.1705.08254,
title = {Origin of Operating Voltage Increase in InGaN-based Light-emitting Diodes under High Injection: Phase Space Filling Effect on Forward Voltage Characteristics},
author = {Dong-Pyo Han and Jong-In Shim and Dong-Soo Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.08254},
year = {2017}
}
备注
17 pages