液氩中导体周围绝缘体沿面的介电击穿研究

液氩中的高压击穿是液氩时间投影室设计中的重要问题，后者常被用作中微子和暗物质探测器。我们针对液氩中环绕负棒状电极的绝缘体上的击穿电压进行了系统测量，其中击穿在阳极处引发。测量在一个装有暴露于空气的商用级液氩（而非电子漂移所需的超纯氩）的开放低温恒温器中进行。虽然未解决液氩中所有高压问题，这些测量与高压馈通的设计直接相关，特别是为避免常见的闪络击穿问题。这些测试的目的是理解材料、击穿路径长度以及该几何与装置下表面拓扑结构的影响。我们发现唯一材料特异性效应源于其介电常数。我们发现击穿电压与暴露绝缘体的长度无关。提出了一个击穿机制模型，可有助于指导未来设计。