破坏反演对称性的双层德氏纳米片中的圆形光电伏革效应
材料科学
2024-11-22 v1
摘要
通过圆形光电伏革效应 (CPGE) 展示了单层和双层德氏 (Ge) 纳米片的自旋-电荷转换。当 Ge 纳米片厚度对应双层德氏ene 时，观察到的 CPGE 电流达到最大值，表明双层 Ge 纳米片的上层主要贡献了自旋-电荷转换。由于上层 Ge 纳米片与底部 Al 层的轨道混合被抑制，观察到的自旋-电荷转换可能与与破坏反演对称性的德氏ene 的固有特征有关。
引用
@article{arxiv.2411.13947,
title = {Circular photogalvanic effect in an inversion-symmetry-broken bilayer germanium nanosheet},
author = {Taiki Nishijima and Ei Shigematsu and Ryo Ohshima and Keigo Matsushita and Akio Ohta and Masaaki Araidai and Junji Yuhara and Masashi Kurosawa and Masashi Shiraishi and Yuichiro Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.13947},
year = {2024}
}
备注
18pages, 4figures