过渡金属二硫族化物上石墨烯的最优电荷-自旋转换
介观与纳米尺度物理
2018-01-03 v2
摘要
当石墨烯置于单层半导体过渡金属二硫族化物 (TMD) 上时，由于界面反演对称性破缺导致的邻近自旋轨道效应，其能带结构会形成丰富的自旋纹理。在本工作中，我们展示了 TMD 单层上石墨烯低能态的特征性自旋缠绕，能够实现电流驱动的自旋极化，即逆自旋电效应 (ISGE)。通过引入一个适当的品质因子，我们量化了电荷-自旋转换的效率，并表明当费米能级接近自旋少数带时，该效率接近 1。值得注意的是，在高电子密度下，即使具有相反自旋螺旋度的子带被占据，效率也仅呈代数衰减。为 TMD 单层上石墨烯预言的巨 ISGE 对无序具有鲁棒性，并在室温下保持较大。
引用
@article{arxiv.1706.08973,
title = {Optimal charge-to-spin conversion in graphene on transition metal dichalcogenides},
author = {Manuel Offidani and Mirco Milletarí and Roberto Raimondi and Aires Ferreira},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.08973},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 3 figures + supplemental material (5 pages, 4 figures); accepted version