过渡金属硫族化合物与坡莫合金二维界面处的大自旋-电荷转换

自旋-电荷转换是实现自旋电子器件的基本要求。近来，半导体过渡金属硫族化合物（TMDs）单层因其高自旋轨道耦合及晶体结构缺乏反演对称性，在自旋-电荷转换方面引起广泛关注。然而，基于 TMD 的界面处自旋-电荷转换直接测量的报道十分有限。在此，我们报道了在室温下观察到 Ni$_{80}$Fe$_{20}$（Py）与四种大面积（$\sim 5\times2$~mm$^2$）单层（ML）TMDs——即 MoS$_2$、MoSe$_2$、WS$_2$ 和 WSe$_2$——界面处产生的大自旋-电荷转换。我们表明，自旋混合电导与 Rashba 效率参数（$\lambda_{IREE}$）均随 ML TMD 层的自旋轨道耦合强度而缩放。四种单层 TMD 的 $\lambda_{IREE}$ 参数介于 $-0.54$ 与 $-0.76$ nm 之间，显示出大的自旋-电荷转换。我们的发现揭示，TMD/铁磁体界面可用于高效产生与探测自旋流，为新型自旋电子器件开辟了新机遇。