内置同质结主导的 NiO 纳米点本征整流-阻变切换用于无选择器件存储
介观与纳米尺度物理
2017-02-21 v1
摘要
本征整流-阻变切换（IR-RS）因在导通状态下于金属/氧化物界面形成肖特基二极管以抑制反向偏压下的潜行电流，已被视为解决串扰问题的有效途径。在本快报中，我们首次报道了另一种与内置同质结相关的 IR-RS 类型。IR-RS 研究通常局限于具有微米级焊盘型电极的宏观样品，而本工作针对采用超薄阳极氧化铝模板制备并作为真实器件纳米尺度类比的 NiO 纳米点。NiO 纳米点显示出高存储密度和高均匀性，且 IR-RS 行为在保持特性、耐久性、切换比和整流比方面具有良好器件性能。通过计算最坏情况下最大交叉阵列尺寸为 3 Mbit，证明了 IR-RS 用于无选择器件存储应用的可行性。
引用
@article{arxiv.1702.05665,
title = {Built-in Homojunction Dominated Intrinsically Rectifying-Resistive Switching in NiO Nanodots for Selection Device-Free Memory Application},
author = {Zhong Sun and Linlin Wei and Ce Feng and Peixian Miao and Meiqi Guo and Huaixin Yang and Jianqi Li and Yonggang Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05665},
year = {2017}
}
备注
Advanced Electronic Materials 2017