基于OTS选择器超快漂移饱和的电学电阻漂移建模
应用物理
2021-02-16 v1
摘要
交叉开关阵列架构是密集互连非易失性存储器(NVM)应用的重要设计要素。为克服交叉开关阵列固有的潜行电流问题，每个存储单元串联一个具有高度非线性电流-电压(I-V)特性的选择器单元。近年来，双向阈值开关(OTS)材料因与PRAM、MRAM或ReRAM工艺兼容而被优先选作选择器；然而，OTS选择器存在阈值电压随时间漂移的问题。首先，基于Poole-Frenkel传导，我们提出一个依赖时间与温度的模型，可预测OTS选择器随时间演化的I-V特性，包括阈值电压。其次，我们报道了漂移的超快饱和(约秒)，并将模型扩展以预测漂移饱和时间。我们的模型与采用8 nm技术节点在25{\deg}C和85{\deg}C环境温度下制备的OTS器件高度吻合。所提模型对理解OTS器件内部机理和开发可靠的阈值电压跳变表具有重要作用。
引用
@article{arxiv.2102.07264,
title = {Modeling Electrical Resistance Drift with Ultrafast Saturation of OTS Selectors},
author = {Yiğit Demirağ and Ekmel Özbay and Yusuf Leblebici},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.07264},
year = {2021}
}