TaO 忆阻器模型的分岔分析
新兴技术
2023-10-03 v1 介观与纳米尺度物理
适应与自组织系统
混沌动力学
摘要
本文研究了由窄脉冲交替极性驱动时 TaO 忆阻器时间平均动力学中的分岔。该分析基于一个受物理启发的模型，聚焦于稳定不动点以及这些不动点如何受脉冲参数影响。我们的主要发现是确定了一种同时存在两个稳定不动点的驱动 regime。据我们所知，这种双稳性是在单个忆阻器中首次被确认。该结果可易于通过实验验证，并有望在未来的忆阻器电路设计中发挥作用。
引用
@article{arxiv.1906.01377,
title = {Bifurcation analysis of a TaO memristor model},
author = {Y. V. Pershin and V. A. Slipko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.01377},
year = {2023}
}