应力作用下MOSFET的行为建模

本文讨论了MOSFET沟道中的压电导现象，并提出了一种可考虑应力的漏极电流模型的扩展。将所得模型与MOSFET沟道中固有应力分量的分析以及特定压电导系数在沟道平面上的分布相结合，可以表明哪些晶体管沟道方向有利于改善MOSFET性能。该模型能够针对MOSFET沟道中给定的应力状态预测最优晶体管沟道取向。考虑了该模型的可能简化。特别地，分析了{100}、{110}以及{111}晶面上的应力状态及显著压电导系数分布。针对假设的沟道中特定应力状态，给出了所考虑特定晶面的MOSFT最终模型。