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分析生长中的捕获区分布 (CZD):理论与应用

介观与纳米尺度物理 2015-01-12 v1

摘要

我们论证了亚单层生长中的捕获区分布 (CZD) 可以很好地用广义 Wigner 分布 (GWD) P(s)=asβexp(bs2)P(s)=a s^\beta \exp(-b s^2) 来描述,其中 ss 是 CZ 面积除以其平均值。这种方法可以说是寻找临界核尺寸 ii 的最佳方法,因为 βi+2\beta \approx i + 2。我们讨论的各种分析和数值研究表明,简单的 GWD 表达式在分布的尾部是不充分的,但它能很好地解释中心区域 0.5<s<20.5 < s < 2,那里的数据量足够大,可以在实验中可靠地获取。我们总结并编目了应用此方法的许多实验。

关键词

引用

@article{arxiv.1311.3991,
  title  = {Analyzing Capture Zone Distributions (CZD) in Growth: Theory and Applications},
  author = {T. L. Einstein and Alberto Pimpinelli and Diego Luis González},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3991},
  year   = {2015}
}

备注

6 pages, 3 figures, conference paper for 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), Warsaw, Poland, Aug. 11-16, 2013, submitted for publication in different format