利用硬 X 射线光电子能谱研究 Te 超掺杂硅中的活性位点
材料科学
2023-06-27 v2
摘要
利用光电子能谱、光电子衍射和 Bloch 波计算，研究了硅中邻近位置处 Te 杂质的多种掺杂构型。样品通过离子注入并结合脉冲激光退火制备。掺杂浓度可变且远高于 Te 在硅中的固溶度极限。所研究的构型通过强烈的化学芯能级位移与孤立 Te 杂质区分开来。虽然发现 Te 团簇仅以极小的浓度形成，但明确识别出了二聚体类型的多 Te 构型以及多达四个 Te 离子环绕一个空位的构型。对于这些构型，发现 Te 的替代位位点位置在所有情况下都与数据最为吻合。对于孤立 Te 离子，这与预期一致。对于多 Te 构型，这些结果有助于理解硅中硫族元素超掺杂时自由载流子的异常激活。
引用
@article{arxiv.2303.13368,
title = {Active Sites of Te-hyperdoped Silicon by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy},
author = {Moritz Hoesch and Olena Fedchenko and Mao Wang and Christoph Schlueter and Dmitrii Potorochin and Katerina Medjanik and Sergey Babenkov and Anca S. Ciobanu and Aimo Winkelmann and Hans-Joachim Elmers and Shengqiang Zhou and Manfred Helm and Gerd Schönhense},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.13368},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 4 figures