拓扑绝缘体Bi$_2$Se$_3$中的双重铁杂质电荷态
介观与纳米尺度物理
2017-12-20 v2 材料科学
摘要
利用扫描隧道显微镜研究了Fe单个杂质对拓扑绝缘体BiSe电子性质的影响。利用显微镜针尖远程对Fe杂质进行充电/放电。研究表明，充电过程取决于杂质在结晶学晶胞中的位置、邻近是否存在其他Fe杂质，以及晶体的整体掺杂水平。我们基于针尖诱导的局域能带弯曲对观测现象给出了定性解释。我们的观测表明，在考虑拓扑绝缘体中无序上的电子散射时，必须同时考虑特定的杂质邻域以及费米能级相对于狄拉克点和体能带的位置。
引用
@article{arxiv.1712.00915,
title = {Double Fe-impurity charge state in the topological insulator Bi$_2$Se$_3$},
author = {V. S. Stolyarov and S. V. Remizov and D. S. Shapiro and S. Pons and S. Vlaic and H. Aubin and D. S. Baranov and Ch. Brun and L. V. Yashina and S. I. Bozhko and T. Cren and W. V. Pogosov and D. Roditchev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.00915},
year = {2017}
}
备注
10 pages, accepted for publication in Applied Physics Letters, minor bugs were corrected