拓扑超导体中吸附杂质周围的边缘态与局域电子结构
超导电性
2015-11-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近年来，拓扑超导态引起了广泛关注。在这项工作中，我们考虑了一个具有 拓扑镜面序 [1] 和 s-波超导配对对称性的拓扑超导体，该模型基于最初为铁基超导电性设计的双轨道模型 [2]。我们预言了无能隙边缘态的存在。我们还研究了该体系中吸附间隙磁性杂质周围的局域电子结构，发现即使在杂质上存在弱自旋极化的情况下，也存在低能的隙内束缚态。我们还讨论了我们的结果与最近对吸附了 Fe 杂质的 Fe(Te,Se) 化合物的 STM 实验 [3] 的相关性，我们的密度泛函计算表明该 Fe 杂质是自旋极化的。
引用
@article{arxiv.1507.05904,
title = {Edge states and local electronic structure around an adsorbed impurity in a topological superconductor},
author = {Yuan-Yen Tai and Hongchul Choi and Towfiq Ahmed and C. S. Ting and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05904},
year = {2015}
}