磁性拓扑绝缘体V:(Bi,Sb)$_2$Te$_3$中的杂质态
强关联电子
2016-11-30 v2
摘要
铁磁拓扑绝缘体V:(Bi,Sb)Te近期被报道为一种量子反常霍尔(QAH)系统。然而QAH效应与铁磁性的微观起源仍不清楚。一个关键方面是V原子对电子结构的贡献。本文通过共振光电子能谱以元素特异的方式探测了V:(Bi,Sb)Te薄膜的价带。提取出了V 杂质带的特征，其在费米能级附近表现出高态密度。第一性原理计算支持了实验结果，并指出铁磁超交换与双交换相互作用共存。因此，所观测到的杂质带有望通过不同机制间的相互作用对铁磁性作出贡献。
引用
@article{arxiv.1607.01662,
title = {Impurity states in the magnetic topological insulator V:(Bi,Sb)$_2$Te$_3$},
author = {Thiago R. F. Peixoto and Hendrik Bentmann and Steffen Schreyeck and Martin Winnerlein and Christoph Seibel and Henriette Maaß and Mohammed Al-Baidhani and Katharina Treiber and Sonja Schatz and Stefan Grauer and Charles Gould and Karl Brunner and Arthur Ernst and Laurens W. Molenkamp and Friedrich Reinert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.01662},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 3 figures, figure 3 changed, new references and discussion included