GaAs:Mn 中 Mn 相关缺陷的异常 g 因子值
材料科学
2016-01-19 v1
摘要
呈现了 GaAs:Mn 系统中锰杂质离子的 ESR 光谱实验研究结果。研究针对系统中费米能级相对于价带边缘的不同位置进行。详细研究了该系统产生 ESR 光谱中 g 因子为 5.62 和 2.81 谱线的特征缺陷。实验结果与先前开发的涉及杂质离子的双缺陷模型框架进行了讨论。该 “3d5 + 空穴” 模型是该系统中双缺陷模型的特例。获得了该系统 ESR 谱线 g 因子共价重正化的解析表达式。
引用
@article{arxiv.1601.04144,
title = {About anomalous g-factor value of Mn related defects in GaAs:Mn},
author = {S. M. Yakubenya and K. F. Shtelmakh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04144},
year = {2016}
}
备注
11 pages,2 figures