Bi$_2$Se$_3$拓扑绝缘体中Mn的电子顺磁共振
材料科学
2014-12-08 v1
摘要
利用电子顺磁共振研究了采用垂直Bridgman法生长的BiSe拓扑绝缘体中的Mn杂质。无论基质材料的导电类型如何，均检测到处于高自旋 S = 5/2、Mn组态的Mn。这意味着Mn(d)能级位于价带内，而Mn(d)能级处于BiSe的能隙之外。BiSe中Mn的电子顺磁共振谱的特征为各向同性g因子 |g| = 1.91 和大的轴向参数 D = -4.20 GHz x h。这对应于Kramers双重态的零场分裂分别为 8.4 GHz x h 和 16.8 GHz x h，与X波段的Zeeman分裂相当。BiSe中的Mn作为受主，有效降低了本征高电子浓度，补偿了硒空位，并导致p型导电性。
引用
@article{arxiv.1412.2012,
title = {Electron Paramagnetic Resonance of Mn in Bi$_2$Se$_3$ Topological Insulator},
author = {Agnieszka Wolos and Aneta Drabinska and Maria Kaminska and Andrzej Hruban and Stanislawa G. Strzelecka and Andrzej Materna and Miroslaw Piersa and Magdalena Romaniec and Ryszard Diduszko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.2012},
year = {2014}
}