TiN/HfO2/SiO2/Si晶体管堆栈有效功函数的从头计算
材料科学
2015-06-03 v1
摘要
采用从头算技术，考虑一阶多体效应，计算了代表金属-氧化物-半导体（MOS）晶体管栅极的TiN/HfO2/SiO2/Si堆栈的有效功函数（Weff）。计算了每个界面处随成分变化的所需能带偏移。最后，利用了LDA计算的体材料能带排列的传递性，并通过MBPT体材料修正对MOS堆栈的终端材料（Si和TiN）进行了补充。通过这些修正，从头算预测TiN金属栅极在HfO2上的Weff接近5.0 eV。
引用
@article{arxiv.1112.2163,
title = {Ab initio calculation of Effective Work Functions for a TiN/HfO2/SiO2/Si transistor stack},
author = {Pierre-Yves Prodhomme and Fabien Fontaine-Vive and Abraam vand Der Geest and Philippe Blaise and Jacky Even},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2163},
year = {2015}
}