在原子尺度上调控 TiN 电极功函数：第一性原理研究
材料科学
2021-02-18 v1
摘要
本文报道了对 TiN 功函数的理论描述，TiN 是 CMOS 器件中用于实现电极和栅极的最常用材料之一。事实上，尽管功函数是量子力学以及器件物理中的基本量，因为它有助于理解异质结构中的能带对齐以及金属/半导体界面处的隙态形成，但缺陷和污染物的影响却很少被考虑。在此，通过使用第一性原理模拟，我们针对不同的 TiN 表面取向，对功函数依赖于氮空位和表面氧化的性质进行了广泛研究。结果补充并解释了大量已有的实验数据，并为在器件模拟中裁剪 TiN 电极的输运性质提供了有用的工具。
引用
@article{arxiv.2102.08646,
title = {Controlling the TiN electrode work function at the atomistic level: a first principles investigation},
author = {Arrigo Calzolari and Alessandra Catellani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.08646},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 5 figures