将 $GW$ 方法应用于过渡金属氧化物的见解与挑战
材料科学
2017-02-08 v5
摘要
从头算 方法被认为是计算半导体和绝缘体带隙最准确的方法。然而，由于为传统半导体开发的传统近似方法的失效，其在过渡金属氧化物 (TMOs) 中的应用受到了阻碍。在这项工作中，我们检查了这些近似方法对 ZnO、CuO 和 TiO 带隙值的影响。特别是，我们探讨了两种广泛使用的等离激元极点模型之间差异的起源。基于将我们的结果与实验数据和先前发表的計算进行比较，我们讨论了哪些近似方法适用于 TMOs 及其原因。
引用
@article{arxiv.1407.3781,
title = {Insights and challenges of applying the $GW$ method to transition metal oxides},
author = {Georgy Samsonidze and Cheol-Hwan Park and Boris Kozinsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3781},
year = {2017}
}
备注
This is an author-created, un-copyedited version of an article published in Journal of Physics: Condensed Matter. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at doi:10.1088/0953-8984/26/47/475501