基于单层氢倍半硅氧烷（HSQ）的锗和铂剥离工艺
材料科学
2011-09-27 v1 其他凝聚态物理
摘要
单层氢倍半硅氧烷主要用作刻蚀掩模，但从未被研究用于剥离技术。在本文中，我们提出了一种新技术，利用单层氢倍半硅氧烷（一种负性电子束光刻胶）来实现锗和铂的剥离。我们测试了不同浓度的氢氟酸对暴露的氢倍半硅氧烷的去除效果。此外，还采用超声搅拌以减少因物质（在本例中为蒸发的金属）在剥离窄槽侧壁堆积而形成的碎屑。结果表明，氢倍半硅氧烷作为负性剥离光刻胶，在锗和铂层中图案化纳米级特征方面具有应用潜力。
引用
@article{arxiv.1109.5187,
title = {A single layer hydrogen silsesquioxane (HSQ) based lift-off process for germanium and platinum},
author = {Vikram Passi and Aurélie Lecestre and Christophe Krzeminski and Guilhem Larrieu and Emmanuel Dubois and Jean-Pierre Raskin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5187},
year = {2011}
}