拓扑绝缘体简明教程：一维和二维中的能带结构拓扑与边缘态
介观与纳米尺度物理
2016-04-19 v1 其他凝聚态物理
摘要
这本基于课程的入门教材为新进入该领域的人提供了新兴的一维和二维拓扑带绝缘体领域一些核心主题的简明介绍。目的是用尽可能简单的数学工具提供对边缘态、体拓扑不变量以及体--边界对应的基本理解。我们使用非相互作用的拓扑绝缘体晶格模型，逐步建立这些模型，从最简单的一维情况（聚乙炔的Su-Schrieffer-Heeger模型）到二维时间反演不变拓扑绝缘体（HgTe的Bernevig-Hughes-Zhang模型）。在每种情况下，先介绍模型，然后讨论其性质并随后推广。读者唯一的先决条件是量子力学的工作知识，相关的固体物理背景作为自包含文本的一部分提供，并配有章末习题。
引用
@article{arxiv.1509.02295,
title = {A Short Course on Topological Insulators: Band-structure topology and edge states in one and two dimensions},
author = {János K. Asbóth and László Oroszlány and András Pályi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.02295},
year = {2016}
}
备注
Submitted to Lect. Notes Phys