边缘上的生存：拓扑、静电学与无序
介观与纳米尺度物理
2020-02-26 v1 材料科学
摘要
我们探讨了具有不同拓扑相的两种材料界面处无质量与有质量拓扑边缘态的共存问题。我们修正了著名的 Bernevig-Hughes-Zhang 模型，引入一个光滑函数来描述量子阱体区与真空之间由静电效应引起的能带反转与能带弯曲。在这一最小模型中，我们确定了可导致两类边缘态共存并决定其数量与特征的不同的参数集合。我们提出了若干实验装置，可在二维拓扑体系中证明它们的存在，并给出了调控或调谐有质量边缘态对相关电子器件电导贡献的方法。我们的结果表明，此类态也可能存在于新型二维范德瓦耳斯拓扑材料中。
引用
@article{arxiv.1911.09363,
title = {Living on the edge: Topology, electrostatics and disorder},
author = {Tineke L. van den Berg and M. Reyes Calvo and Dario Bercioux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.09363},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 9 figures