稀土氮化物异质结构中的垂直输运与隧穿
应用物理
2020-04-22 v1
摘要
我们报道了对铁磁半导体稀土氮化物（REN）的研究，探讨其在低温电子学与自旋电子学应用中的潜力。我们已确定适用于需要电子穿过界面层输运的器件结构的欧姆接触，并生长出呈现隧穿特性、高达 400% 的隧穿磁阻以及具有迟滞现象的 REN/绝缘体/REN 异质结构，这为其应用于非易失性磁随机存取存储器提供了前景。
引用
@article{arxiv.1909.11209,
title = {Vertical transport and tunnelling in rare-earth nitride heterostructures},
author = {Jackson D. Miller and Felicia H. Ullstad and H. Joe Trodahl and Ben. J. Ruck and Franck Natali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.11209},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 6 figures