部分穿孔氮化硅薄膜中的低温热输运
仪器与探测器
2010-11-02 v1
摘要
在0.3至0.6 K的温度范围内，研究了部分开槽氮化硅薄膜中的热输运，其中过渡边缘传感器(TES)是薄膜加热的唯一来源。测试配置由光刻定义在1微米厚、6平方毫米大小的氮化硅薄膜上的Mo/Au TES组成。为了控制热输运，在TES与硅框架之间引入了不同深度的沟槽。结果表明，薄膜表面的尖锐特征（如沟槽）会显著阻碍声子输运模式。观察到热阻对沟槽深度的非线性依赖关系。通过部分穿孔氮化硅薄膜来控制热输运，可能有助于制造机械性能稳健的探测器器件。
引用
@article{arxiv.0906.2956,
title = {Low Temperature Thermal Transport in Partially Perforated Silicon Nitride Membranes},
author = {V. Yefremenko and G. Wang and V. Novosad and A. Datesman and J. Pearson and R. Divan and C. Chang and T. Downes and J. McMahon and L. Bleem and A. Crites and S. S. Meyer and J. E. Carlstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2956},
year = {2010}
}
备注
3 pages; 3 figs