迈向超低噪声 MoAu 跃迁边缘传感器
仪器与探测器
2014-01-13 v1
摘要
我们报告了对我们首批 MoAu 跃迁边缘传感器 (TESs) 的初步测量。由 40 nm 的 Mo 和 106 nm 的 Au 双层膜形成的 TESs 显示出约 320 mK 的跃迁温度，高于具有 MoCu 双层膜的相同 TESs，这与双层膜之间电子透射系数的降低相一致。我们报告了在此温度下 200 nm 厚的氮化硅 (SiNx) 支撑结构的热导率测量、TES 动态行为及电流噪声测量。
引用
@article{arxiv.1401.2251,
title = {Towards Ultra-Low-NoiseMoAu Transition Edge Sensors},
author = {D. J. Goldie and A. V. Velichko and D. M. Glowacka and S. Withington},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2251},
year = {2014}
}
备注
6 pages 3 figures