过渡边传感器中的邻近效应与非平衡超导

我们最近证明了正常金属/超导体（N/S）双层TESs（超导过渡边传感器）表现出弱连结行为。1 在此我们将理解扩展到包含添加了降噪正常金属结构（N结构）的TESs。我们发现添加了Au结构的TESs也表现出弱连结行为，其证据是临界电流的指数温度依赖性以及临界电流随外加磁场变化的类约瑟夫森振荡。我们用与纵向邻近效应（LoPE）1相反的效应，即横向逆邻近效应（LaiPE）来解释我们的结果，在该效应中，N/S双层中的序参量由于相邻的N结构而降低。本文给出了在边长为8至130 $\mu$m、有或没有添加N结构的方形Mo/Au双层TESs上，作为温度和磁场函数的电阻和临界电流测量结果。我们观察到双层上的逆邻近效应在平面内延伸数十微米的距离，并发现向低温的转变标度近似与平面内N结构间距的平方成反比，且转变宽度没有明显展宽。我们还给出了非平衡超导的证据，并估计该双层的准粒子寿命为1.8 \times 10^{-10} s。LoPE模型也被用于解释在双层陡峭电阻转变以上的温度下电导率增加的现象。