(111) 取向 Si-MOSFET 中的谷-轨道光电流
介观与纳米尺度物理
2010-10-22 v1
摘要
我们展示了多谷半导体中纯谷-轨道电流的注入，并提出了该效应的理论。我们研究了室温下 型掺杂 (111) 取向硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管中的光致输运。通过将圆偏振光照射到具有六个等价谷的精确取向结构上，每个谷内会产生非零电子通量，这些通量相互补偿，不产生净电流。通过扰动谷通量之间的平衡——在本工作中通过施加线偏振辐射以及通过失取向引入谷的非等价性——我们证明了纯谷电流可以转化为可测量的电流。
引用
@article{arxiv.1010.4383,
title = {Valley-Orbit Photocurrents in (111)-oriented Si-MOSFETs},
author = {J. Karch and S. A. Tarasenko and E. L. Ivchenko and J. Kamann and P. Olbrich and M. Utz and Z. D. Kvon and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.4383},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 2 columns, 3 figures