(111) 硅量子阱中的能谷简并度
介观与纳米尺度物理
2011-10-28 v1 材料科学
摘要
(111) 硅量子阱已被广泛研究，但对于实验中观察到的6重能谷简并度破缺为2重和4重简并度的现象，目前尚无令人信服的解释。本文给出了系统的 sp3d5s* 紧束缚和有效质量计算，表明典型的取向偏差会调制能级，从而导致6重能谷简并度破缺为2个较低和4个较高的能谷。在大型超晶胞的紧束缚计算中，使用基于有效质量的能谷投影模型来确定能谷极小值的方向。与有效质量计算相比，紧束缚计算与实验更为吻合。
引用
@article{arxiv.0812.3681,
title = {Valley Degeneracies in (111) Silicon Quantum Wells},
author = {Neerav Kharche and Seongmin Kim and Timothy B. Boykin and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.3681},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures, to appear in Applied Physics Letters