硅量子阱的谷间分裂
量子物理
2009-11-13 v2
摘要
研究了考虑外场和量子界面的硅量子阱结构的多谷有效质量理论。研究发现，先前工作 [Ref. 10] 中用于解释由量子阱界面引起的谷分裂的现象学δ函数势，可以从多谷有效质量理论中自洽地推导出来。采用有限元方法求解多谷有效质量方程。理论预测与近期在 SiO_{2}/Si/SiO_{2} 量子阱中观察到的谷分裂实验结果相当吻合，证明了该方法的有效性。
引用
@article{arxiv.0711.0575,
title = {Intervalley splittings of Si quantum wells},
author = {S. -H. Park and Y. Y. Lee and Doyeol Ahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.0575},
year = {2009}
}
备注
Major revision including the correction of numerical errors