YbCu$_2$Si$_2$ 穿过其量子临界点的价态不稳定性
强关联电子
2015-06-04 v1
摘要
我们报道了在高压（高达 22 GPa）和低温（低至 7 K）下，对 YbCuSi 在 Yb L 边进行的共振非弹性 X 射线散射 (RIXS) 测量，重点在于其向磁有序态转变的邻近区域。我们发现随着压力增加，价态连续地向三价态变化，但在临界压力附近斜率发生显著变化。即使在 22 GPa 下，Yb 态也未完全实现。观察到该特征的压力值随温度降低而减小，在 7 K 时降至 9 GPa，该值接近发生磁有序的临界压力 (\itshape{p\normalfont{}}\normalfont 7.5 GPa)。此前报道的在常压下价态随温度降低而减小的现象得到证实，并发现其在更高压力下有所增强。我们还比较了 YbCuSi 与其 Ce 对应物 CeCuSi 之间的 f 电子占据数。
引用
@article{arxiv.1203.3567,
title = {Valence Instability of YbCu$_2$Si$_2$ through its quantum critical point},
author = {A. Fernandez-Panella and V. Balédent and D. Braithwaite and Luigi Paolasini and Roberto Verbeni and G. Lapertot and Jean-Pascal Rueff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3567},
year = {2015}
}