高压下 CeCu2Si2 中价值波动的迹象
强关联电子
2007-05-23 v1 超导电性
摘要
在单晶 CeCu2Si2 上进行了同时的电阻率和交流比热测量，压力可达 6 GPa，使用水热氦气压力介质。观察到一系列在超导临界温度 最大压力处出现的异常现象。这些异常可链接至 Ce 价值的突变变化，表明在约 4.5 GPa 处存在第二个量子临界点，此处临界价值波动提供了超导配对机制，而与室压下的自旋波动不同。由此推广的 Anderson 格子模型（含导电与 f 电子间的库仑相互作用）预测了这种价值不稳定性及其相关超导性。我们解释了在 处发现的 T 线性电阻率，而其他在 附近发现的异常现象也可使用同一模型定性地理解。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306054,
title = {Signatures of valence fluctuations in CeCu2Si2 under high pressure},
author = {A. T. Holmes and D. Jaccard and K. Miyake},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306054},
year = {2007}
}
备注
Submitted to Phys. Rev. B