铈基金属间化合物的电子图景：极端条件下的 CeCu$_2$Si$_2$
强关联电子
2017-08-23 v2
摘要
CeCuSi 是一种典型的关联电子金属，在其温度-压力相图中展现出两个非常规超导穹。第一个穹环绕着一个反铁磁量子临界点，而更为奇特的第二个穹可能横跨 电子价态转变线的终止点。这一行为引起了极大的关注，但一直缺乏在温和条件下研究其高压行为的途径。在此我们研究 Si P 化学取代，该取代压缩了晶胞体积，但同时削弱了 电子态与传导电子态之间的杂化，并促发了复杂的磁性。在表现出磁性的浓度下，施加压力抑制了磁有序温度，并且在低无序样品中恢复了超导电性。这些结果表明，该系统中的电子行为受晶胞体积和电子壳层填充效应的非平凡组合控制。在此图景的指引下，我们讨论了通过化学取代在更广泛的铈基 ThCrSi 型材料中发现价态涨落量子相变的前景。
引用
@article{arxiv.1705.06363,
title = {Electronic Landscape of Ce-based Intermetallics: CeCu$_2$Si$_2$ at an Extreme},
author = {Y. Lai and S. M. Saunders and D. Graf and A. Gallagher and K. -W. Chen and F. Kametani and T. Besara and T. Siegrist and A. Shekhter and R. E. Baumbach},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.06363},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 6 figures