加压 $CeCu_2(Si_{1-x}Ge_x)_2$ 体系中的非费米液体态：两个临界点

在典型的强关联电子超导体 CeCu$_2$Si$_2$ 及其 Ge 掺杂合金 CeCu$_2$(Si$_{1-x}$Ge$_{x}$)$_2$ 中，作为压力的函数可以穿过两个量子相变——一个是磁性相变，另一个起源至今未知 \cite{Yuan 2003a}。我们通过对低温电阻率 ($\rho$) 幂律指数 $\alpha$ 的详细测量，研究了相关的反常正常态。在下临界点 (在 $p_{c1}$ 处，$1\leq\alpha\leq 1.5$)，$\alpha$ 强烈依赖于 Ge 浓度 $x$，从而依赖于无序度，这与反铁磁涨落的临界散射的 Hlubina-Rice-Rosch 图像一致。相比之下，在上量子相变 (在 $p_{c2}$ 处，$\alpha\simeq 1$) 处，$\alpha$ 与 $x$ 无关，表明存在来自局域或 $Q=0$ 模式的临界散射，与密度/价态涨落方法相符。