局部无中心性 CeCoGe$_2$ 晶体中的准量子临界点
强关联电子
2026-03-16 v1 材料科学
超导电性
摘要
局部无中心性重量费米子化合物可能产生长迈来的相关量子相，如具有非阿贝尔准粒子的自旋三极性超导体，但鉴别合适的候选体系具有挑战。本文采用氨flux 方法合成 CeCoGe 单晶，属高度可调的伪四方性（）Ce 系列，可在 T 站和 X 站进行取代。我们识别出重量费米子基态，Sommerfeld 系数 mJ mol K，电阻率非费米-洛伦兹幂律，可能指示其接近准量子临界点。然而，至 20 mK 无超导性或磁序迹象。我们分析电气运输和结构性质，指出在相关化合物（CePtSi、CeRhGe）中观察到的协同电荷运输和超导性在 CeCoGe 中因内在 Co 空位（约 4%，即便是最高品质晶体）引起强随机势散射而被抑制。通过调节生长配比和温度轮廓，我们演示缺陷浓度可被控制且对残余电阻率有显著影响。我们假设更高品质的 CeCoGe 晶体通过不同生长技术可能实现超导性。
关键词
引用
@article{arxiv.2603.13111,
title = {Putative quantum critical point in locally noncentrosymmetric CeCoGe$_2$ crystals},
author = {F. Garmroudi and C. S. T. Kengle and M. H. Schenck and J. D. Thompson and E. D. Bauer and S. M. Thomas and P. F. S. Rosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.13111},
year = {2026}
}