URu$_2$Si$_2$隐藏序相中反常准粒子散射与非常规超导之间的强关联

研究了URu$_2$Si$_2$在高压下跨越$P_x$处一级相边界时的压力依赖电阻率，在该边界处基态在压力下从“隐藏序”(HO)转变为大矩反铁磁(LAFM)态。URu$_2$Si$_2$在低温下的电输运表现出强烈的样品依赖性。我们测量了一个超洁净单晶，其质量是先前研究中最高的。广义幂律${\rho}{\,}={\,}{\rho_0}+{\,}{A_n}T{^n}$分析发现，在HO相中电输运性质偏离费米液体理论，但在$P_x$以上很好地服从该理论。使用$T$的多项式表达式${\rho}{\,}={\,}{\rho_0}+{\,}{{\alpha}_1}T+{\,}{{\alpha}_2}T{^2}$的分析揭示了HO相中${{\alpha}_1}/{{\alpha}_2}$ $\propto$ $T_{sc}$的关系。虽然${{\alpha}_2}$的压力依赖性非常弱，但${{\alpha}_1}$大致与$T_{sc}$成正比。这表明反常准粒子散射与超导之间存在强关联，并且两者具有共同起源。本研究阐明了在量子临界点附近强关联电子超导体中HO相的普适性。