URu2Si2中的竞争有序相：静压与Re替换
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
在0 < x < 0.08的URu2-xRexSi2中，观察到“隐序”（HO）转变温度的压强依赖性在临界压强Pc=15 kbar处存在持续的扭折。在URu2Si2中，Pc处的扭折伴随着超导性的破坏；由电阻率测量确定的自旋激发间隙大小的变化；以及费米面（FS）某一部分的完全打开能隙，这由散射的变化以及HO态与超导性对FS份额的竞争所推断。
引用
@article{arxiv.0707.3824,
title = {Competing Ordered Phases in URu2Si2: Hydrostatic Pressure and Re-substitution},
author = {J. R. Jeffries and N. P. Butch and B. T. Yukich and M. B. Maple},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3824},
year = {2009}
}