加压 Fe 和 CeCu2(Si/Ge)2 中自旋与价态涨落介导的超导电性
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们回顾了支持 CeCu2Si2 和 CeCu2Ge2 中价态涨落介导超导电性的证据，在这些体系中，Tc 在高压下达到 2.4 K。在这些体系中，价态临界点 p_V 和磁性临界点 p_c 是明显分离的。与这两种现象相关的特征信号截然不同。相比之下，在大多数 Ce 基化合物中，价态和自旋涨落区域显得更为接近。关于 d 过渡金属，纯铁的超导电性出现在 15-30 GPa 的压力窗口内，Tc 起始温度高达近 3 K。所有相关观察都指向非常规超导电性，很可能由铁磁自旋涨落介导。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410143,
title = {Spin and Valence-Fluctuation Mediated Superconductivity in Pressurized Fe and CeCu2(Si/Ge)2},
author = {D. Jaccard and Alexander T. Holmes},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410143},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 3 figures, Proceedings of SCES'04, submitted to Physica B