金属间化合物 CeCu$_{2}$Ge$_{2}$ 中自旋能隙与纳米尺度量子涨落的相互作用

利用中子散射测量阐明了典型重电子系统 CeCu$_{2}$Ge$_{2}$ 中场诱导自旋能隙与量子涨落之间的相互作用。发现 $\Delta$ = 0.56 meV 的自旋能隙在 $H$$_{c}$$\simeq$ 8 T 附近的场诱导量子临界态处形成，由长程反铁磁序参量的涨落驱动。在许多磁性超导体中，超导转变温度被发现与自旋能隙存在一一对应关系。就此而言，自旋能隙与纳米尺度动态相关性相互作用的演示，为探索量子临界行为与非常规超导性之间的直接关系提供了新领域，特别是在重电子系统中。